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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進一步提高,對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高,特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。在這種燒結(jié)過程中,在適當(dāng)?shù)膲?.09月20日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差,難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件(如碳化硅和氮化鎵等)的快速發(fā)展,對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月20日
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87000.00元相對于焊料合金,銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前,AS9385銀燒結(jié)技術(shù)已受到高溫功率電子領(lǐng)域的廣泛關(guān)注,它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半..09月20日
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