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全燒結(jié)納米燒結(jié)銀三點(diǎn)半燒結(jié)銀

更新時間:2025-09-21 [舉報]

隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高,對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高,特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。

SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場。我們針對許多客戶的不同應(yīng)用提供了各種燒結(jié)銀解決方案,可以提供無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,銀玻璃燒結(jié)銀,納米燒結(jié)銀等,配合了100多家燒結(jié)銀客戶,累積了豐富的燒結(jié)銀知識和應(yīng)用工藝經(jīng)驗。

SHAREX的AS9385銀燒結(jié)技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)(Low temperature joining technique,LTJT),作為一種新型無鉛化芯片互連技術(shù),AS9385燒結(jié)銀可在低溫(<250℃)條件下獲得耐高溫(>700℃)和高導(dǎo)熱率(~240 W/m·K)的燒結(jié)銀芯片連接界面,具有以下幾方面優(yōu)勢:

標(biāo)簽:全燒結(jié)納米燒結(jié)銀加壓燒結(jié)銀膏
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