眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K)，遠(yuǎn)IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整個器件內(nèi)部Rth(j-c)熱阻之權(quán)重，是不言而喻的。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法為：Pick & Place；

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以廣泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering（擴散焊）技術(shù)。簡而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢，一舉省去中間焊料，所謂大道至簡、惟精惟一，惟GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之：采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片時，降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時提高器件可靠性。