終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國(guó)能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。

單管封裝中引入擴(kuò)散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優(yōu)化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例，基于GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片，相比當(dāng)前焊接版的TO247-3/4L，可降低約25%的穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(j-c)，和約45%的瞬態(tài)熱阻。

目前，客戶存的大痛點(diǎn)是鍵合時(shí)良率低，善仁新材推出的DTS預(yù)燒結(jié)焊片優(yōu)勢(shì)是：提高芯片的通流能力和功率循環(huán)能力，保護(hù)芯片以實(shí)現(xiàn)高良率的銅線鍵合。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能夠?qū)㈦娏﹄娮幽K的使用壽命延長(zhǎng)50多倍，并確保芯片的載流容量提高50%以上。

使用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片使器件結(jié)溫可以超過200°C。因此，GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。

SHAREX的預(yù)燒結(jié)銀焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是結(jié)合了燒結(jié)銀，銅箔和其他材料的一種復(fù)合材料，由以下四個(gè)部分組成：具有鍵合功能的銅箔；預(yù)涂布AS9385系列燒結(jié)銀；燒結(jié)前可選用臨時(shí)固定的膠粘劑；保護(hù)膜或者承載物。