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江蘇江陰多晶硅鑄錠爐回收真空泵回收現(xiàn)場(chǎng)報(bào)價(jià)

更新時(shí)間:2025-09-19 [舉報(bào)]
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直拉法,也叫切克勞斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長(zhǎng)方法,用直拉法生長(zhǎng)單晶的設(shè)備和工藝比較簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,生產(chǎn),易于制備大直徑單晶,容易控制單晶中雜質(zhì)濃度,可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì),世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%~80%是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長(zhǎng)設(shè)備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限,引進(jìn)消化吸收國(guó)外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽(yáng)能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長(zhǎng)爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種,具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長(zhǎng)爐(TDR85/95/105-JN)TDR—JN系列全自動(dòng)晶體生長(zhǎng)爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),是采用直拉法生長(zhǎng)P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg~150Kg,可拉制6"~12"電路級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)單晶硅棒。
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而邊壁的邊界層又是主要影響因素。另一機(jī)理是高濃度塵流中粉塵顆粒的擴(kuò)散與凝聚這對(duì)矛盾中凝聚成為主要矛盾方面。粉塵顆??梢员舜四墼谝黄?。又可能與實(shí)質(zhì)界面凝聚而吸附在其上面。通過(guò)這兩個(gè)機(jī)理,后粉塵從氣體中分離出來(lái)。 排塵過(guò)程排塵過(guò)程主要是經(jīng)分離界面以后已分離出來(lái)的粉塵排離排塵口,不同的除塵器排塵的作用力也不同。有些除塵器不需要再加額外動(dòng)力能利用原捕集分離的外力把粉塵排離除塵器。而另一些除塵器則需要加額外的動(dòng)力才能把已分離的粉塵排出。 排氣過(guò)程已棄塵后相對(duì)凈化的氣流從排氣口排出的過(guò)程稱為排氣過(guò)程。上述基本知識(shí)是除塵器、過(guò)濾器設(shè)計(jì)制造的理論基礎(chǔ)。下面具體討論單晶爐領(lǐng)域除塵技術(shù)。分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,工業(yè)爐:分為電爐和燃燒爐(狹義的工業(yè)爐指燃燒爐)2. 主要產(chǎn)品七大類:電阻爐、感應(yīng)爐、真空爐、電子束爐、熱處理(或熔煉)機(jī)組、熱處理輔助設(shè)備、燃燒爐三. 電阻爐:三大部件:加熱器、爐襯、耐構(gòu)件   1. 分為周期式及連續(xù)式兩大類 2. 周期式爐的特征:A. 爐料同時(shí)加入同時(shí)取出 B. 加熱時(shí)爐料基本不動(dòng)(特殊情況除外:如滾筒爐,輥底爐) C. 工作區(qū)內(nèi)力求溫度均勻。

標(biāo)簽:多晶硅鑄錠爐回收
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