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鎮(zhèn)江潤(rùn)州控制柜回收鎮(zhèn)江潤(rùn)州單晶爐回收

更新時(shí)間:2025-09-18 [舉報(bào)]
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單晶硅生長(zhǎng)爐原理簡(jiǎn)介單晶硅生長(zhǎng)爐的特點(diǎn)\單晶硅生長(zhǎng)爐是通過(guò)直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機(jī)部分:機(jī)架,雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動(dòng)爐壓檢測(cè)控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源:全水冷電源裝置采用專(zhuān)利電源或原裝進(jìn)口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器,構(gòu)成新一代高頻開(kāi)關(guān)電源。采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)(ZVS)及CPU控制技術(shù),提高了電能轉(zhuǎn)換效率,不需要功率因數(shù)補(bǔ)償裝置。3、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng):采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機(jī),配備大屏幕觸摸式HMI人機(jī)界面、高像素CCD測(cè)徑 ADC系統(tǒng)和具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“全自動(dòng)Cz法晶體生長(zhǎng)SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”,可實(shí)現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過(guò)程自動(dòng)控制。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收,多晶硅鑄錠爐回收,提拉式長(zhǎng)晶爐回收,多晶長(zhǎng)晶爐回收,臥式長(zhǎng)晶爐回收,拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收,真空泵回收,真空流量計(jì)回收,plc編程回收,控制屏回收,離子泵回收,渦輪分子泵回收,螺桿真空泵回收,渦旋高真空泵回收,原理簡(jiǎn)介,把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝,通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化;然后,對(duì)熔化的硅液稍做降溫,使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng);接著,控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm 左右、直徑為3~5mm的細(xì)頸,用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò),這個(gè)過(guò)程是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個(gè)過(guò)程稱為放肩;接著,突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作,使肩部近似直角;然后,進(jìn)入等徑工藝,通過(guò)控制熱場(chǎng)溫度和晶體提升速度,生長(zhǎng)出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體;后,待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí),再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體,稱為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過(guò)程基本完成,進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。
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標(biāo)簽:單晶爐回收
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