- 信息報(bào)價(jià)
-
0.05元二極管B5819W參數(shù) 產(chǎn)品簡介 PD功率：250mW VRM電壓 ：40V IO電流：1A VF大正向電壓 ：0.9v Test Condition IF(A)電流 ：3A IR大峰值反向電流 ：1uA Test Condition VR電壓:40V trr反..08月18日 -
10V45 臺(tái)灣 ASEMI 品牌貼片肖特基二極管 型號(hào)： 10V45 品牌： ASEMI 封裝： TO-277 特性：超低壓降、貼片小封裝 ★電性參數(shù)： 10A 45V ★芯片材質(zhì)： Mikron ..03月27日
-
碳化硅肖特基模塊MB300U02FJ MB40DU12FJ MB200K01F3 碳化硅肖特基模塊MB400K01F4N MB400K02F4 MB400K02F4N MB400K01F3 MB400K01F4 MB400K02F3 歡迎來到泉州晶利康電子科技有限公司 泉州晶..09月03日
-
中國肖特基二極管市場(chǎng)占有率格局與發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研報(bào)告?2020～2025年 ------------------------------------- 節(jié)假日24小時(shí)咨詢熱線：139 2163 9537（兼并微信）（隨時(shí)來電有折扣） 【報(bào)告編號(hào)..09月04日
-
肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大..09月03日
-
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
-
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
-
SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載..09月03日
-
肖特基二極管作為一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，在PCB電路設(shè)計(jì)與SMT貼片生產(chǎn)制造中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過深入了解肖特基二極管的特性、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景，我們可以更好地利用這一器件，提高電路性能..09月03日
-
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月03日
-
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月03日
-
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月03日
-
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月03日
-
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
-
肖特基二極管封裝肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。1、引線式封裝這種肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（..09月03日
-
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月03日
-
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
-
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有..09月03日
-
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)..09月03日
-
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面： 1）由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。 2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載..09月03日
相關(guān)分類和搜索
10A肖特基相關(guān)
黃頁88網(wǎng)提供2025最新10A肖特基價(jià)格行情，提供優(yōu)質(zhì)及時(shí)的10A肖特基圖片、多少錢等信息。批發(fā)市場(chǎng)價(jià)格表的產(chǎn)品報(bào)價(jià)來源于共3家10A肖特基批發(fā)廠家/公司提供的41409條信息匯總。
友情鏈接
