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微波功率晶體管

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  • 中國雙極型功率晶體管市場專項調研及投資戰(zhàn)略研究報告
    面議
    中國雙極型功率晶體管市場專項調研及投資戰(zhàn)略研究報告2021-2027年 *************************************** [報告編號] 323344 [出版日期] 2021年8月 [出版機構] 中研華泰研究院 [交付..
    09月20日
  • 中國中小功率晶體管行業(yè)發(fā)展趨勢及投資戰(zhàn)略研究報告2021-2027年
    面議
    中國中小功率晶體管行業(yè)發(fā)展趨勢及投資戰(zhàn)略研究報告2021-2027年 *************************************** [報告編號] 323333 [出版日期] 2021年8月 [出版機構] 中研華泰研究院 [交付方..
    09月20日
  • 中國中小功率晶體管市場發(fā)展動態(tài)分析及投資前景預測報告2023
    面議
    中國中小功率晶體管市場發(fā)展動態(tài)分析及投資前景預測報告2023-2029年 ≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧□△▽≤≥≦≧【報告編號】: 223831【出版機構】: 【北京中研信息研究所】【出版日期】: 【2023年04月】【報..
    09月20日
  • 中國功率晶體管市場動態(tài)分析及前景發(fā)展規(guī)劃建議報告2020-2025年
    面議
    中國 功率晶體管市場動態(tài)分析及前景發(fā)展規(guī)劃建議報告2020～2025年 ≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤≥≤ 節(jié)假日24小時咨詢熱線：139 2163 9537（兼并微信）（隨時來電
    09月20日
  • 中國中小功率晶體管市場現狀調查與前景趨勢預測報告2021-2026年
    面議
    中國中小功率晶體管市場現狀調查與前景趨勢預測報告2021-2026年【報告編號】: 342721【出版時間】: 2021年8月【出版機構】: 中研智業(yè)研究院【交付方式】: EMIL電子版或特快專遞 【報告價格】:..
    09月20日
  • 晶體管BCP52
    面議
    型號：BCP52 類別：分立半導體產品 產品族：晶體管 FET 類型：P 溝道 電流：1A 電壓：60V 功率：1W 頻率：145MHz 工作溫度：150°C 封裝：SOT223
    09月20日
  • IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應功率晶體管
    面議
    深圳市星際金華優(yōu)勢大量原裝出售IPS65R1K5CE和IPN50R3K0CE場效應功率晶體管?。。? 只做原裝 質量 現貨營銷 價格優(yōu)惠 歡迎致電咨詢 IPS65R1K5CE： FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET（..
    05月19日
  • 收購廠家?guī)齑娲袅先龢O管二極管收購
    10.00元
    歡迎有庫存電子料的商戶前來聯系，中介有酬金 回收仙童電力半導體 回收 仙童功率晶體管 回收仙童功率模塊 回收仙童IGBT模塊 回收仙童IGBT單管 回收仙童二極管 回收仙童快恢復二極管
    03月22日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管詳細介紹
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內存效應而設計，提供數字預失真能力 6.內部匹配，便于使用LD q=3..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產品特性
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。Doh..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管產品應用
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-55..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管參考數據
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應用。非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。測試電路： ..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管發(fā)射距離
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功耗
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管規(guī)格參數
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管功率
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。#BLC10G19XS-551AV..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應用場景
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管接收距離
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內存效應而設計，提供數字預失真能力 6.內部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管應用方向
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護 8.有關RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampl..
    09月20日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率晶體管電壓
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內存效應而設計，提供數字預失真能力 6.內部匹配，便于使用于頻率從1930 MH..
    09月20日
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