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貼片功率場(chǎng)效應(yīng)管

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    報(bào)價(jià)
  • 威兆VS3640DS(30V9A)低壓N溝道增強(qiáng)MOS管雙通道功率場(chǎng)效應(yīng)管
    0.65元
    名 稱：雙通道先進(jìn)功率MOS型 號(hào)：VS3640DS 封 裝：SOP-8 最小包裝：3000PCS/盤 品 牌：威兆/Vanguard Semiconductor 輸入電壓范圍：30V，9A 特 點(diǎn)：雙路N通道5V邏輯電平控制 ..
    08月16日
  • UTC友順2N90G2A,900V功率場(chǎng)效應(yīng)管熱賣現(xiàn)貨
    面議
    2N90 Datasheet 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with plana..
    01月17日
  • NCE3010SNCE3010場(chǎng)效應(yīng)管MOS管30V/10A代理原裝
    0.50元
    NCE3010S NCE3010場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 30V/10A 代理原裝 描述 NCE3010S使用先進(jìn)的海溝技術(shù)和 較低的設(shè)計(jì)提供良好的RDS(上)門。它 可用于各種各樣的應(yīng)用程序。 一般特征 ●V = 30 V,I = 10 RDS..
    08月01日
  • 尋場(chǎng)效應(yīng)管回收公司
    0.10元
    尋 場(chǎng)效應(yīng)管 回收公司 回收?qǐng)鲂?yīng)管 深圳銘盛電子科技有限公司專業(yè)收購電子元器件，回收電子呆料，收購 IC ， 回收三極管，回收貼片 IC ，回收內(nèi)存芯片，收購電腦方面電子料，回收
    07月20日
  • 回收?qǐng)鲂?yīng)管,MOS管，電源IC
    1000.00元
    回收?qǐng)鲂?yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價(jià)、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..
    09月22日
  • 20N06美浦森SLD20N06T原裝60V20ATO-252MOS場(chǎng)效應(yīng)管
    0.20元
    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..
    09月22日
  • 60N02美浦森SLD60N02T原裝60A20VTO-252MOS場(chǎng)效應(yīng)管
    0.20元
    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..
    09月22日
  • 80N06美浦森SLD80N06T原裝60V80ATO-252MOS場(chǎng)效應(yīng)管
    0.20元
    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..
    09月22日
  • 場(chǎng)效應(yīng)管SFB-33-C075-A-00
    面議
    場(chǎng)效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻(xiàn)和應(yīng)用場(chǎng)景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強(qiáng)調(diào)金屬-氧化物-半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..
    09月22日
  • 晶體管第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，場(chǎng)效應(yīng)管性能測(cè)試
    面議
    晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測(cè)項(xiàng)目外觀質(zhì)量、性能測(cè)試、功..
    09月21日
  • 供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管CMOSNTGD4167CT1G安森美現(xiàn)貨
    0.10元
    場(chǎng)效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測(cè)試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號(hào)及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..
    09月22日
  • PMOS場(chǎng)效應(yīng)管NTA4151PT1G安森美原裝
    0.10元
    PMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..
    09月22日
  • MT3205-NMOS場(chǎng)效應(yīng)管
    2.00元
    MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及高速信號(hào)切換等應(yīng)用的理想選..
    09月11日
  • MT3287/B場(chǎng)效應(yīng)管
    2.00元
    **低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..
    09月11日
  • P溝道MOS管增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
    31.00元
    場(chǎng)效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————
    09月10日
  • 供應(yīng)P&N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
    1.00元
    供應(yīng)P&N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)惠，歡迎訂購。
    09月06日
  • MT6808D-場(chǎng)效應(yīng)管
    2.00元
    MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..
    07月29日
  • MT3287-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
    2.00元
    MT3287-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，作為一種增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢(shì)在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..
    07月29日
  • MT11G035B-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
    2.00元
    MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..
    07月29日
  • MT6808D-場(chǎng)效應(yīng)管
    面議
    MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場(chǎng)效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..
    07月29日
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