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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲放大器芯片（Low Noise Amplifier，簡稱LNA）是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。降低器件本身的噪聲..09月04日 -
MGF4964BL-01質(zhì)量等級：GG MGF4964BL-01偏置條件： VDS=2V，內(nèi)徑=10mA噪聲是所有電子元件不可避免的特性，而放大器在信號放大的同時也會放大噪聲。因此，設計低噪聲放大器是為了在盡可能大的..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..09月04日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護 8.有關RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZ測試電路： 印刷電路板(PCB..09月04日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲 主要用于無線通信系統(tǒng)（如無線電、移動通信、衛(wèi)星通信等），其中接收機需要將微弱的無線信號放大到足夠..09月04日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲放大器芯片（Low Noise Amplifier，簡稱LNA）是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。低噪聲 主要用于無..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護 8.有關RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZ#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon..09月04日
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：MGF4964BL-01： 1、設計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。低噪聲放大器芯片通過優(yōu)化電路設計和使用高..09月04日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。#BLC10G19XS-5..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ? 功率LDMOS晶體管 Ampleon BLC10G19XS-551AVZ?550w LDMOS封裝的不對稱Doherty功率晶體管..09月04日
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：MGF4964BL-01： 1、設計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..09月04日
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：MGF4964BL-01： 1、設計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應而設計，提供數(shù)字預失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551A..09月04日
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：MGF4964BL-01： 1、設計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設計用于K波段放大器。。。低噪聲放大器芯片（Low Noise Amplifier，簡..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 1.優(yōu)異的耐用性 2.高效率 3.低耐熱性，提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ? 功..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應而設計，提供數(shù)字預失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用Doherty操作的堅固性 BLC10G19XS-551AV在VOS=30V的條件下，能承受與VSWR=10:1相對應的負載失配:LD..09月04日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值)。。。低噪聲 主要用于無線通信系統(tǒng)（如無線電、移動通信、衛(wèi)星通信等），其中接收機需要將微弱的無線信號放大到足夠的..09月04日
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BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的..09月04日
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MGF4964BL-01質(zhì)量等級：GG MGF4964BL-01偏置條件： VDS=2V，內(nèi)徑=10mAMGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值) f=20GHz 時的高相關增益 Gs =13.5dB(典型值。) ..09月04日
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