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57500.00元新材料新工藝硅料烘干爐 石墨舟烘烤箱 硅片硅芯烘干箱新能源/硅料/太陽能電池制作中的鍍膜工藝所用的石墨舟,石墨舟酸洗浸泡6-8小時,之后進行清水洗,然后用N2或CAD將石墨舟表面水分吹掃,再..09月21日
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4寸6寸8寸teflon導片器硅片導片架硅片晶圓轉(zhuǎn)換器花籃轉(zhuǎn)換器硅片平邊器09月21日
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32.00元TJ超薄硅片0.1mm線徑加工鍍膜晶圓改切激光打孔 超薄硅片打孔是一項非常精細的工序,因為硅片較薄,打孔的時候不能損壞其表面的精度,打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以及所要求的大..04月18日
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32.00元TJ高純度拋光硅片激光打孔wafer異形孔加工 華諾激光致力于半導體晶圓及器件的加工及制造等業(yè)務,提供半導體晶圓的研磨、拋光、劃片等主要業(yè)務。 二氧化硅片是指在硅片表面熱生長一層均勻的..04月18日
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32.00元TJ半導體晶圓小孔加工超薄硅片微結構加工 硅片的分類: 硅片規(guī)格有多種分類方法,可以按照硅片直徑:4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸;單晶生長方法:單晶硅片、多晶硅片;摻雜類型:N型、P型..04月18日
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19.00元wafer saw晶片加工硅片異形定制半導體晶圓片切割 華諾激光于2002年在北京成立,經(jīng)過十多年的發(fā)展成為智能制造及激光應用解決方案供應商,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售務為一體的**企業(yè),下屬華諾恒..04月18日
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32.00元TJ超薄硅片0.1mm線徑加工鍍膜晶圓改切激光打孔 超薄硅片打孔是一項非常精細的工序,因為硅片較薄,打孔的時候不能損壞其表面的精度,打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以及所要求的大..10月26日
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26.00元TJ半導體晶圓小孔加工超薄硅片微結構加工 硅片的分類: 硅片規(guī)格有多種分類方法,可以按照硅片直徑:4寸、6寸、12寸、3英寸、2英寸;單晶生長方法:單晶硅片、多晶硅片;摻雜類型:N型、P型..10月26日
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TJ超薄硅片0.1mm線徑加工鍍膜晶圓改切激光打孔硅片小孔加工 超薄硅片打孔是一項非常精細的工序,因為硅片較薄,打孔的時候不能損壞其表面的精度,打孔的密度、孔徑大小需要達到一定的精度以..10月26日
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32.00元TJ高純度拋光硅片激光打孔wafer異形孔加工 華諾激光致力于半導體晶圓及器件的加工及制造等業(yè)務,提供半導體晶圓的研磨、拋光、劃片等主要業(yè)務。 二氧化硅片是指在硅片表面熱生長一層均勻的..10月26日
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2.00元北京激光打孔陶瓷微孔加工硅片小孔加工激光刻槽加工 激光打孔精度高,厚度:≤1.0mm ,厚度:0.1-5mm;加工速度快;加工材質(zhì)廣泛(硬、脆、軟等各類材料,金屬,非金屬);熱影響區(qū)域小,穩(wěn)定..05月31日
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2.00元北京紫外切割陶瓷硅片高速紫外切割鉆孔劃線刻槽加工 北京高速紫外FPC軟板切割,高速紫外軟硬結合板切割,高速紫外FPC覆蓋膜切割,北京高速紫外PCB硬板切割、分板,高速紫外指紋識別芯片切割,高速..10月18日
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南通華林科納的硅片甩干機的主要功能是對太陽能電池、硅圓片和掩模板等的高清潔的旋轉(zhuǎn)甩干沖洗,結構是雙工作腔結構,加工片子最大的直徑為150mm,采用的是層疊式和積本式相組合的結構05月08日
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二手硅片切割機進口清關哪家公司可以做 二手硅片切割機進口清關哪家公司可以做 Vanhang supply chain management(shanghai)co.,ltd 萬享供應鏈管理(上海)有限公司 CTC:陳先生 Er..09月14日
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480000.00元提高硅片,很多電子類行業(yè)從事著很熟悉,硅片是由不能的晶體合成,一個很小的硅片里面有大大小小的晶體,這些晶體就是電路信號的路徑,這些可以通過晶體傳到信號,現(xiàn)在化工,機電,12月11日
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55800.00元供應石墨硅芯烘干箱 多晶硅片硅芯烘烤箱 石墨舟烘干爐——蘇州銀邦節(jié)能電熱設備有限公司!江蘇蘇州銀邦石墨舟烘箱是根據(jù)光伏電子行業(yè)石墨舟烘干、硅料烘干、多晶硅硅烘干需要設計的產(chǎn)品,是光伏..09月21日
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【全新修訂】:2023年4月【內(nèi)容部分有刪減·詳細可參鴻晟信合研究院出版完整信息!】【報告價格】:[紙質(zhì)版]:6500元 [電子版]:6800元 [紙質(zhì)+電子]:7000元 (可以優(yōu)惠)【服務形式】: 文本+電子..09月21日
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元素硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構成的,僅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、隧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。..09月21日
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面議晶圓切割時,經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度,要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學放大和先進對準運算的設備。當用窄跡道切割晶圓時,應選..09月21日
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