農(nóng)村一直是我們扶持的地方，所以現(xiàn)在很多地區(qū)都又安裝恩施農(nóng)村太陽(yáng)能路燈，一般的高度都選擇為6-8米，農(nóng)村的日常照明就行。

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當(dāng)然，要使閥控式密封鉛酸蓄電池的陰極吸收得以很好地進(jìn)行，要它的氣體復(fù)合率高，產(chǎn)生的氣體基本上都生成水又回到蓄電池內(nèi)，除了氣密性是一個(gè)很重要的問(wèn)題外，還應(yīng)考慮與之配套的措施是否得力。例如，在結(jié)構(gòu)上，閥控式密封鉛酸蓄電池是貧液式的，要留出足夠的空間和通道讓正極產(chǎn)生的氧能迅速而又順暢地到負(fù)極而被負(fù)極吸收，這也是閥控式密封鉛酸蓄電池為什么沒(méi)有多余電解液的原因所在。又如，采用的超細(xì)玻璃纖維隔板應(yīng)該有足夠大的孔率，以正極產(chǎn)生的氧能通過(guò)隔板的小孔到負(fù)極被吸收。因此，閥控式密封鉛酸蓄電池所用隔板的好壞也是一個(gè)至關(guān)重要的問(wèn)題。閥控式密封鉛酸蓄電池在充電時(shí)正極產(chǎn)生的氧因?yàn)楸回?fù)極吸收了，而可以將開(kāi)口蓄電池做成密封蓄電池了，那么負(fù)極充電時(shí)產(chǎn)生的是通過(guò)改變負(fù)極的合金配方，采用新的合金材料(如鉛鈣合金），使氫在這種材料上放電（電子生成）的電位了（叫做了氫的過(guò)電位），本來(lái)充電電壓達(dá)到某一值時(shí)氫離子就要在陰極上放電，生成。由于鉛鈣合金的采用，充電電壓達(dá)到原來(lái)數(shù)值時(shí)氫離子不放電了，不生成了。但不管如何改變合金配方，也不管如何氫的過(guò)電位，當(dāng)充電電壓達(dá)到氫離子放電的電位時(shí)，總是要生成的。各生產(chǎn)廠商都給自己的蓄電池規(guī)定一個(gè)在一定范圍內(nèi)的浮充電壓值，其道理就是要控制的產(chǎn)生，防止蓄電池失水。

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光伏充電控制器的類型，光伏充電控制器可分為以下五種類型。并聯(lián)型光伏控制器，這種控制器一般用于小型、低功率的發(fā)電中。并聯(lián)型光伏控制器工作原理是：當(dāng)蓄電池充滿時(shí)，利用電子部件把光伏陣列的輸出分內(nèi)部并聯(lián)電阻器或功率模組上去，然后以熱的形式消耗掉。串聯(lián)型光伏控制器，它一般用于較高功率的太陽(yáng)能發(fā)電中。其基本原理是利用機(jī)械繼電器控制充電，并在夜間切斷光伏陣列。脈寬調(diào)制型光伏控制器，它以PWM脈沖開(kāi)關(guān)光伏陣列的輸人。當(dāng)蓄電池趨向充滿時(shí)，脈沖的和時(shí)間縮短。這種充電能光伏發(fā)電中蓄電池的總循環(huán)壽命。智慧型光伏控制器，這種控制器能對(duì)光伏電源的運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行高速即時(shí)采集，并能對(duì)單路或多路光伏陣列按照一定的控制規(guī)律進(jìn)行切離和接通控制。大功率跟蹤型光伏控制器，不但能判斷在運(yùn)行時(shí)的輸出功率是否達(dá)到大值，而且還能隨時(shí)太陽(yáng)能電池始終運(yùn)行在大功率點(diǎn)處。同時(shí)采用PWN調(diào)制，使充電電流成為脈沖電流，從而蓄電池的充電效率。

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單晶硅是具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，即晶格取向基本上完全相同的晶體。但不同的晶面方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)體材料。純度要求達(dá)到99.9999%以上。目前是用于制造太陽(yáng)能電池的好材料，用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶格位向相同的晶粒，便形成單晶硅。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì)，有較弱的導(dǎo)電性，其電導(dǎo)率隨溫度的升高而，有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻人微量的mA族元素，如硼可導(dǎo)電性能，而形成P型硅半導(dǎo)體；如摻入微量的VA族元素，如磷也可其導(dǎo)電性能，形成N型硅半導(dǎo)體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無(wú)定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長(zhǎng)出棒狀單晶硅。按晶體生長(zhǎng)的不同，分為直拉法、區(qū)熔法和外延法。用直拉法和區(qū)熔法來(lái)生產(chǎn)單晶硅棒材，用外延法來(lái)生產(chǎn)單晶硅薄膜。直拉法生產(chǎn)的單晶硅主要用于太陽(yáng)能電池和其他半導(dǎo)體材料，如二極管等。由于成本和性能的原因，直拉法生產(chǎn)單晶硅材料應(yīng)用廣，目前單晶硅晶體直徑可控制在婦?8in(lirv="2.54cm，下同）范圍內(nèi)。、美國(guó)和德國(guó)是主要的硅材料生產(chǎn)國(guó)。硅材料工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)水平相對(duì)較低，而且大部分為2.5in、3in、4in、5in硅錠。由于硅錠小，所以只能制作出小直徑的硅片。為了生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽(yáng)能電池等采用太陽(yáng)能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過(guò)復(fù)拉制成太陽(yáng)能電池的單晶硅棒。

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