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特點編輯HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。

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專利文獻(xiàn)CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長室內(nèi)的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導(dǎo)氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經(jīng)密封導(dǎo)氣裝置的導(dǎo)氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導(dǎo)氣管裝置由導(dǎo)氣管、底 座、密封環(huán)、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對加熱器和坩堝進(jìn)行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內(nèi)充入時的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導(dǎo)致其流量較大，故而消耗量大，生產(chǎn)成本較高。