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除塵器內(nèi)的空間由圓柱容器經(jīng)上、下蓋密封形成，整個(gè)空間分成兩大區(qū)域：除塵區(qū)域和排氣區(qū)域。含塵氣流由切線進(jìn)氣口進(jìn)入除塵區(qū)域，沿外壁由下而上螺旋形旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。氣流作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)時(shí)，塵粒在慣性離心力的推動(dòng)下，要向圓柱容器內(nèi)壁移動(dòng)。到達(dá)內(nèi)壁的塵粒在氣流和重力的共同作用下，沿壁面落到容器底部。這種情況，離心力是除塵器的主要作用力，塵粒與氣流分離界面是圓柱容器的內(nèi)壁。還有，圓柱容器內(nèi)設(shè)置內(nèi)外兩層金屬網(wǎng)，內(nèi)層金屬網(wǎng)纏繞于內(nèi)側(cè)的6 根金屬桿上。外層金屬網(wǎng)纏繞于外側(cè)的8 根金屬桿上。這14 根金屬桿被固定在上盤和盤上。它們固聯(lián)于圓柱容器上法蘭。圓柱容器設(shè)置的排氣筒是排氣區(qū)域。

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單晶硅生長(zhǎng)爐的原理簡(jiǎn)介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，如果圓柱體放在線圈，那么圓柱體周邊的溫度是一樣的，圓柱體加熱和熔化也沒(méi)有產(chǎn)生有害氣體、強(qiáng)光污染環(huán)境。中頻爐廣泛用于有色金屬的熔煉[主要用在熔煉鋼、合金鋼、特種鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、鋅等有色金屬材料的熔煉，也可用于銅、鋁等有色金屬的熔煉和升溫，保溫，并能和高爐進(jìn)行雙聯(lián)運(yùn)行。]、