鎵鋁砷通過(guò)調(diào)整鎵鋁組分比例可實(shí)現(xiàn)禁帶寬度連續(xù)調(diào)控，具有優(yōu)良的光電傳導(dǎo)特性，廣泛應(yīng)用于光電子器件、高頻晶體管等領(lǐng)域，其成分均勻性與晶體完整性直接影響器件的發(fā)光效率和運(yùn)行穩(wěn)定性。

檢測(cè)范圍

鎵鋁砷單晶襯底、外延層、薄膜及器件芯片等類(lèi)。

檢測(cè)項(xiàng)目

鋁含量、鎵含量、砷含量、電阻率、載流子濃度、遷移率、發(fā)光波長(zhǎng)、禁帶寬度、缺陷密度、表面粗糙度。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

1、GB/T 10238-2015《半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)》

2、SJ/T 11492-2015《磷化銦單晶襯底》

3、ASTM F721-2015《化合物半導(dǎo)體晶片 X 射線形貌檢查的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程》

4、ASTM F1188-2015《硅外延片厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法》

5、ISO 17560-2014《半導(dǎo)體材料 用 X 射線熒光光譜法測(cè)定硅片表面元素污染物》

*檢測(cè)需知*

【檢測(cè)周期】5-10個(gè)工作日（供參考，可加急）

【檢測(cè)費(fèi)用】

>檢測(cè)項(xiàng)目：項(xiàng)目數(shù)量越多，費(fèi)用自然越高。

>檢測(cè)方法：高科技設(shè)備和技術(shù)意味著更高的投入，費(fèi)用也會(huì)相應(yīng)增加。

>檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)與周期：不同標(biāo)準(zhǔn)和檢測(cè)周期會(huì)影響費(fèi)用。

>樣本數(shù)量：樣本越多，費(fèi)用越高。

>送樣方式：上門(mén)取樣或現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)會(huì)增加額外費(fèi)用。

*以上，檢測(cè)費(fèi)用是綜合多種情況來(lái)定的，需要實(shí)驗(yàn)室業(yè)務(wù)工程師跟您確定具體的檢測(cè)/測(cè)試/鑒定需求后，給您報(bào)價(jià)，請(qǐng)諒解~

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