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直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術(shù)：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導(dǎo)流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內(nèi)不斷充入，并與爐內(nèi)生成的 一氧化硅及雜質(zhì)粉塵混合，由于單晶爐內(nèi)的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質(zhì)粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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數(shù)值仿真是用來獲得廉價的，完整的和細節(jié)的結(jié)晶過程，以此方法用來預(yù)測晶體生長,改善晶體生長技術(shù)。數(shù)值模擬是當實驗的費用太昂貴或無法常規(guī)進行時一種非常有用或的方法。舉例來說，對于無經(jīng)驗人員，可以形象化展示熔體流動的歷史點缺陷和熱應(yīng)力細節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場對晶體直徑，質(zhì)量要求的辦法。面向過程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過有效的計算機模擬可以設(shè)計和優(yōu)化工作流程。通過對單晶爐熱場的仿真計算，優(yōu)化設(shè)計單晶爐的機械結(jié)構(gòu)，在拉晶過程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線，可以在實際生產(chǎn)中是完全可以生長出合格的單晶棒。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，具體實施方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，一種連續(xù)拉晶單晶爐，它包括括底座1、主爐室2、副爐室3、下驅(qū)動裝置4和上驅(qū)動裝置5，所述主爐室2和下驅(qū)動裝置4均安裝在底座1上，所述主爐室2內(nèi)設(shè)置有爐室坩堝21，所述下驅(qū)動裝置4和主爐室坩堝21相連，以便通過下驅(qū)動裝置4驅(qū)動主爐室坩堝21升降，所述副爐室3和主爐室2相連通，所述上驅(qū)動裝置5安裝在副爐室3的上端，以便通過上驅(qū)動裝置5驅(qū)動拉晶，其特征在于，它還包括：外部加料器6，所述外部加料器6內(nèi)設(shè)置有加料腔61，所述加料腔61內(nèi)設(shè)置有加料坩堝62，所述外部加料器6的蓋裝有上蓋63；