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專利文獻(xiàn)CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場(chǎng)的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長(zhǎng)室內(nèi)的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導(dǎo)氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經(jīng)密封導(dǎo)氣裝置的導(dǎo)氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導(dǎo)氣管裝置由導(dǎo)氣管、底 座、密封環(huán)、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對(duì)加熱器和坩堝進(jìn)行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內(nèi)充入時(shí)的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導(dǎo)致其流量較大，故而消耗量大，生產(chǎn)成本較高。

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單晶硅生長(zhǎng)爐原理簡(jiǎn)介單晶硅生長(zhǎng)爐的特點(diǎn)\單晶硅生長(zhǎng)爐是通過直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機(jī)部分：機(jī)架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動(dòng)爐壓檢測(cè)控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進(jìn)口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開關(guān)電源。采用移相全橋軟開關(guān)（ZVS）及CPU控制技術(shù)，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補(bǔ)償裝置。3、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機(jī)，配備大屏幕觸摸式HMI人機(jī)界面、高像素CCD測(cè)徑 ADC系統(tǒng)和具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“全自動(dòng)Cz法晶體生長(zhǎng)SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實(shí)現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過程自動(dòng)控制。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，DL-78型單晶爐的熱場(chǎng)和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長(zhǎng)度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國(guó)外市場(chǎng)上，硅晶體直徑大致每4～5年增長(zhǎng)1時(shí)（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個(gè)等級(jí)。在這發(fā)展中，有兩個(gè)條件是相輔相成、共同進(jìn)步的，這是單晶爐和拉晶工藝。