AS9331的優(yōu)點(diǎn)總給如下：
低溫?zé)o壓：銀燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱到低于它的熔點(diǎn)溫度，然后材料中的銀顆粒聚集結(jié)合，并實(shí)現(xiàn)顆粒之間的結(jié)合強(qiáng)度。傳統(tǒng)銀燒結(jié)采用對(duì)材料或設(shè)備加壓、加熱直至形成金屬接點(diǎn)的方法。然而，在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，這種加壓技術(shù)的應(yīng)用必然會(huì)碰到芯片破損或者產(chǎn)能不足的問(wèn)題，因?yàn)榭蛻?hù)在資本密集型的芯片粘接設(shè)備上單個(gè)自地生產(chǎn)。

提率：善仁新材的這一無(wú)壓低溫技術(shù)提高了生產(chǎn)效率，從傳統(tǒng)銀燒結(jié)技術(shù)每小時(shí)只能生產(chǎn)約30個(gè)產(chǎn)品上升至現(xiàn)在的每小時(shí)3000個(gè)。現(xiàn)在，憑借這一新的銀燒結(jié)材料，第三代半導(dǎo)體封裝得以實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能，高可靠性的產(chǎn)品。

“成為世界電子漿料頭部企業(yè)”為善仁新材的奮斗目標(biāo)。
公司是集研發(fā)，生產(chǎn)，銷(xiāo)售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有由科學(xué)家的，十多名海內(nèi)外博士后，博士，碩士組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)具有碩士以上。

公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)由美籍華人科學(xué)家領(lǐng)導(dǎo)，多名海外博士、博士后組成，研發(fā)團(tuán)隊(duì)為碩士及博士以上學(xué)歷，研發(fā)人員占公司人員比例超過(guò)40%，公司是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型的高新技術(shù)企業(yè)，目前公司正在申請(qǐng)?jiān)菏抗ぷ髡竞筒┦亢蠊ぷ髡?。公司注重產(chǎn)品研發(fā)，產(chǎn)品品質(zhì)和生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的持續(xù)提升和優(yōu)化，重視對(duì)人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。

公司開(kāi)發(fā)出了納米顆粒技術(shù)平臺(tái)，金屬技術(shù)平臺(tái)、樹(shù)脂合成技術(shù)平臺(tái)、同位合成技術(shù)平臺(tái)，粘結(jié)技術(shù)平臺(tái)等。在以上技術(shù)平臺(tái)上開(kāi)發(fā)出了導(dǎo)電銀膠、導(dǎo)電銀漿，低溫?zé)Y(jié)銀，納米銀墨水，納米銀漿，納米銀膠，納米銀膏，可焊接低溫銀漿，可拉伸銀漿，異方性導(dǎo)電膠，電磁屏蔽膠，導(dǎo)熱膠等產(chǎn)品。

為了驗(yàn)證此策略，使用1200V/400A車(chē)用SiC功率模塊的低應(yīng)力封裝工藝，此器件的燒結(jié)面積4.4 mm×4.0 mm，鉬片厚度為1.5 mm，氧化鋁襯底基板的厚度為1.2 mm。 兩側(cè)基板均采用AS9330低溫?zé)o壓銀燒結(jié)技術(shù)以實(shí)現(xiàn)器件和鉬片的互連，燒結(jié)后形成器件-基板組件和鉬片-基板組件結(jié)構(gòu)連接，燒結(jié)后兩組組件的連接使用傳統(tǒng)的高溫焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。