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美國光刻膠電子級(jí)蝕刻液金屬表面半導(dǎo)體用

更新時(shí)間：2025-09-17 [舉報(bào)]

廈門光刻膠   美國光刻膠

  1. ?硅蝕刻液?：用于腐蝕單晶硅或多晶硅，常見配方包括(各向同性蝕刻)或KOH/TMAH(各向異性蝕刻)


  3. ?

指標(biāo)名稱說明典型值
蝕刻速率單位時(shí)間內(nèi)腐蝕的材料厚度鐵蝕刻≥10微米/分鐘
銅蝕刻12μm/min(50℃)
選擇性目標(biāo)與非目標(biāo)材料的腐蝕速率比鐵銅蝕刻比≥200
均勻性蝕刻液在表面的分布均勻性側(cè)蝕量可控制在3μm以內(nèi)


標(biāo)簽：美國光刻膠光刻膠
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