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單向可控硅模塊十堰勵磁可控硅模塊

更新時間:2024-11-15 [舉報]
換相沖擊電壓
包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層存載流子復合所產(chǎn)生的,所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,出現(xiàn)換相振蕩過電壓,它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,換相振蕩過電壓也越大。
針對形成過電壓的不同原因,可以采取不同的抑制方法,如減少過電壓源,并使過電壓幅值衰減;抑制過電壓能量上升的速率,延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,增加其消散的途徑;采用電子線路進行保護等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常稱之為吸收回路或緩沖電路。
單向可控硅模塊
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標簽:單向可控硅模塊
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