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基于ANSYS軟軸型單晶爐提拉系統(tǒng)晃動分析\人工晶體是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展所需的核心原材料,單晶爐是制造人工晶體的設(shè)備,目前的單晶爐大部分采用軟軸提拉系統(tǒng)。由于受到液/固相變規(guī)律的制約,單晶爐在實際工作中要求提拉機(jī)構(gòu)既要做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動,又要做上升運(yùn)動,同時還要保持速度穩(wěn)定,對中性好,不能出現(xiàn)蠕動和擺動。提拉系統(tǒng)的晃動會引起生長瞬間微觀擴(kuò)散層的變化,造成有效分凝系數(shù)的變動,導(dǎo)致微觀摻雜劑濃度分布的徑向不均勻,引起對流情況不穩(wěn)定,導(dǎo)致生長時固液界面過冷度的變化,為枝晶生長提供條件[1],會嚴(yán)重地影響單晶體的內(nèi)在品質(zhì)。

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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運(yùn)的分析,采用實驗和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45 分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，生長Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場研究及數(shù)值模擬\隨著科學(xué)的飛速發(fā)展,出于提高生產(chǎn)率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴(yán)重的熱對流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結(jié)晶潛熱的散發(fā)更加困難,結(jié)晶速率難以提高。為了解決這兩個問題,本文在國產(chǎn)TDR-80單晶爐的基礎(chǔ)上,對熱場進(jìn)行了局部改造,施加了新型加強(qiáng)復(fù)合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問題近似解的數(shù)值分析方法。由于拉單晶過程中投料量較大,爐體結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價昂貴,所以拉晶實驗成本太高。