安徽蕪湖提拉式長晶爐回收 濾波柜回收現(xiàn)場報(bào)價(jià)
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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運(yùn)的分析,采用實(shí)驗(yàn)和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45 藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長爐的特點(diǎn)HD系列硅單晶爐的爐室采用3節(jié)設(shè)計(jì)。上筒和上蓋可以上升并向兩邊轉(zhuǎn)動(dòng)，便于裝料和維護(hù)等。爐筒升降支撐采用雙立柱設(shè)計(jì)，提高穩(wěn)定性。支撐柱安裝在爐體支撐平臺的上面，便于平臺下面設(shè)備的維護(hù)。爐筒升降采用絲杠提升技術(shù)，簡便干凈。全自動(dòng)控制系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，維護(hù)方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實(shí)時(shí)采集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復(fù)性。爐內(nèi)溫度或加熱功率控制方式可選，?？販鼐取Ｙ|(zhì)量流量計(jì)控制流量。真空計(jì)結(jié)合電動(dòng)蝶閥實(shí)時(shí)控制爐內(nèi)真空度。

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半導(dǎo)體級直拉法的工藝控制\進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導(dǎo)體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來替代硅材料,但未來幾年可以預(yù)見,硅材料由于其成熟的技術(shù)品質(zhì)和穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì),將會在相當(dāng)長的一段時(shí)間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應(yīng)用的領(lǐng)域也是相當(dāng)廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過物理變化,讓硅原子按照人為設(shè)定的方向進(jìn)行生長,終形成的。一般會采用直拉法進(jìn)行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應(yīng)的增大。這里面涉及到了一系列問題。這篇論文主要討論的是通過對熱場的設(shè)計(jì),工藝的過程控制,減少位錯(cuò)的產(chǎn)生,以及通過化學(xué)腐蝕對位錯(cuò)進(jìn)行檢測的相關(guān)問題。