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單晶硅生長爐的原理簡介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，因此，在向單晶爐內(nèi)不斷充入 的同時，還用真空泵將混合氣體排出爐外；在排氣時，混合氣體流經(jīng) 爐中的加熱器、坩堝支持器等處，后經(jīng)過爐下端的排氣口排出。上述圖1的單晶爐的不足之處在于單晶爐內(nèi)空間較大，尤其是坩堝 支持器下方的空間較大，導(dǎo)致坩堝支持器下方的混合氣體不能及時排出， 熱能消耗量較大；另外，現(xiàn)有技術(shù)中，從輸入管向爐內(nèi)充入時， 充氣氣壓為1. 3x 103pa，流量為40L/min,因此其消耗量大，生產(chǎn) 成本較高。