Nano-twin 物鏡
Nano-twin 物鏡是一種在低加速電壓條件下 工作的電鏡( EM ) 物鏡。通過優(yōu)化幾何結(jié) 構(gòu)和靜電場及磁場分布， 獲得出色的信號(hào) 探測效率， 從而可以在低電壓下達(dá)到亞納 米級(jí)分辨率。具體來說， 與標(biāo)準(zhǔn)的 Gemini 物鏡相比，它在低電壓下的像差降低了 3 倍。這使得樣品上的磁場降低了 3 倍， 約 為 1mT ，并能夠進(jìn)行 1kV 以下亞納米成像， 而無需將樣品浸沒在電磁場中。

全套探測系統(tǒng)： 根據(jù)出射能量和出射角選 擇性地探測樣品的電子
GeminiSEM 系列的全套探測系統(tǒng)有大量不同 的探測器可供選配。通過組合 EsB (能量選 擇背散射) 探測器、 Inlens 二次電子探測器 及 AsB (角度選擇背散射) 探測器獲取樣品 材料、表面形貌或結(jié)晶度的信息。入射電子 與樣品作用后可產(chǎn)生二次電子( SE ) 和背散 射電子( BSE )。從納米級(jí)樣品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次電子可用來表征樣 品的表面形貌。這些二次電子可通過特設(shè) 計(jì)的電子束推進(jìn)器向后加速進(jìn)入鏡筒，并經(jīng) Gemini 物鏡投射到環(huán)形 Inlens 二次電子探測 器里。 GeminiSEM 可根據(jù)樣品的表面條件在 寬角度范圍內(nèi)探測二次電子。

大部分的背 散射電子能夠穿過 Inlens SE 探測器，并被 EsB 探測器收集。此外， Inlens EsB 探測器 還可有選擇地收集不同能量的背散射電子。 如果出射角大于 15 度， 則 BSE 無法進(jìn)入鏡 筒，但會(huì)被 AsB (角度選擇背散射) 或可 抽插式 aBSD 探測器探測到。aBSD 探測器 能夠提供樣品的成分襯度、形貌和 3D 表面 信息。樣品室背散射電子探測器( BSD )和 掃描透射電子探測器可以在低加速電壓下 擁有更率，且能實(shí)現(xiàn)超速成像。