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由于數(shù)值模擬提供了一個(gè)近似真實(shí)的過(guò)程，利用這一技術(shù)可以很容易的對(duì)任何類型的變化（幾何尺寸、保溫材料、加熱器、環(huán)境等）對(duì)晶體質(zhì)量的影響做出容易的判斷。數(shù)值仿真是用來(lái)獲得廉價(jià)的，完整的和細(xì)節(jié)的結(jié)晶過(guò)程，以此方法用來(lái)預(yù)測(cè)晶體生長(zhǎng),改善晶體生長(zhǎng)技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于無(wú)經(jīng)驗(yàn)人員，可以形象化展示熔體流動(dòng)的歷史點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力細(xì)節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達(dá)到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場(chǎng)對(duì)晶體直徑，質(zhì)量要求的辦法。面向過(guò)程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過(guò)有效的計(jì)算機(jī)模擬可以設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作流程。通過(guò)對(duì)單晶爐熱場(chǎng)的仿真計(jì)算，優(yōu)化設(shè)計(jì)單晶爐的機(jī)械結(jié)構(gòu)，在拉晶過(guò)程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線可以在實(shí)際生產(chǎn)中是完全可以生長(zhǎng)出合格的單晶硅棒。

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提拉式單晶爐技術(shù)參數(shù)1、電源電壓：380VAC±5%2、電源頻率：50HZ 3、電源相數(shù)：3相3線制4、變壓器容量：190KVA5、加熱器加熱功率：160KW6、加熱溫度：1600℃7、加熱器加熱電壓：60V8、冷爐極限真空度：＜a9、晶體直徑：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主爐室尺寸：φ900×1250mm上爐室尺寸：φ900×900mm下?tīng)t室尺寸：φ900×350mm12、翻板閥通徑：φ280mm13、封頭爐蓋高度：410mm14、副爐室尺寸：φ280×250015、籽晶轉(zhuǎn)速范圍：1～40rpm16、籽晶拉速范圍：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在爐內(nèi)有效行程：3500mm19、籽晶在副室內(nèi)有效行程：2100mm20、坩堝升速范圍：0.02～1mm/min21、坩堝快速：≥100mm/min22、坩堝在爐內(nèi)有效行程：400mm23、坩堝轉(zhuǎn)速范圍：1～30rpm24、兩個(gè)電極孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主機(jī)占地面積：2500x2000mm27、主機(jī)高度：6800mm28、主機(jī)重量：約7500Kg分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，單晶硅生長(zhǎng)爐原理簡(jiǎn)介單晶硅生長(zhǎng)爐的特點(diǎn)\單晶硅生長(zhǎng)爐是通過(guò)直拉法生產(chǎn)單晶硅的制造設(shè)備。主要由主機(jī)、加熱電源和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三大部分組成。1、主機(jī)部分：機(jī)架，雙立柱\雙層水冷式結(jié)構(gòu)爐體\水冷式閥座\晶體提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\坩堝提升及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)\系統(tǒng)\真空系統(tǒng)及自動(dòng)爐壓檢測(cè)控制\水冷系統(tǒng)及多種安全保障裝置\留有二次加料口2、加熱器電源：全水冷電源裝置采用專利電源或原裝進(jìn)口IG及超快恢復(fù)二極管等功率器件。配以高頻變壓器，構(gòu)成新一代高頻開(kāi)關(guān)電源。采用移相全橋軟開(kāi)關(guān)（ZVS）及CPU控制技術(shù)，提高了電能轉(zhuǎn)換效率，不需要功率因數(shù)補(bǔ)償裝置。3、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)：采用PLC和上位工業(yè)平板電腦PC機(jī)，配備大屏幕觸摸式HMI人機(jī)界面、高像素CCD測(cè)徑 ADC系統(tǒng)和具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的“全自動(dòng)Cz法晶體生長(zhǎng)SCADA監(jiān)控系統(tǒng)”，可實(shí)現(xiàn)從抽真空—檢漏—爐壓控制—熔料—穩(wěn)定—溶接—引晶—放肩—轉(zhuǎn)肩—等徑—收尾—停爐全過(guò)程自動(dòng)控制。