MOS結(jié)電容測試/柵極電荷/雙脈沖測試服務(wù)
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（簡稱“長禾實(shí)驗(yàn)室”），作為國家認(rèn)可（CNAS）正式認(rèn)證的功率器件測試服務(wù)中心，嚴(yán)格遵循國際標(biāo)準(zhǔn)，為國內(nèi)外客戶提供一站式、的測試服務(wù)。實(shí)驗(yàn)室全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗(yàn)證、可靠性評估和失效分析。業(yè)務(wù)涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電、新能源汽車、、工業(yè)控制、科研機(jī)構(gòu)等多個(gè)領(lǐng)域，為中國核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012、GJB128B-2021
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；
檢測能力：檢測電壓：2000V 檢測電流：200A；
試驗(yàn)參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
I-V曲線掃描
ID vs.VDS at range of VGS
ID vs.VGS at fixed VDS
IS vs.VSD
RDS vs.VGS at fixed ID
RDS vs.ID at several VGS
IDSS vs.VDS
HFE vs.IC
BVCE（O,S,R,V） vs.IC
BVEBO vs.IE
BVCBO vs.IC
VCE（SAT） vs.IC
VBE（SAT） vs.IC
VBE（ON） vs.IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：7000V，檢測電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：RDSON、GFS
開關(guān)特性測試（Switch）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：開通/關(guān)斷時(shí)間ton/toff、上升/下降時(shí)間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時(shí)間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；
反向恢復(fù)測試（Qrr）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)電流Irm、反向恢復(fù)時(shí)間Trr、反向恢復(fù)電流變化率diF/dt、反向恢復(fù)損耗Erec；
柵極電荷（Qg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：5000A
試驗(yàn)參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；
短路耐量（SCSOA）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V 檢測電流：10000A
試驗(yàn)參數(shù)：短路電流Isc、短路時(shí)間Tsc、短路能量Esc；
結(jié)電容（Cg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ侯l率：0.1-1MHz、檢測電壓：1500V；
試驗(yàn)參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；
C-V曲線掃描
輸入電容Ciss-V；
輸出電容Coss-V；
反向傳輸電容Cres-V；
柵極電阻（Rg）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、
GB/T 29332-2012；
試驗(yàn)對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：1500V；
試驗(yàn)參數(shù)：柵極等效電阻Rg
正向浪涌電流測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗(yàn)對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。
試驗(yàn)參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t
雷擊浪涌 8/20us,10/1000us
雪崩耐量測試（UIS）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；
試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A
試驗(yàn)參數(shù)：雪崩能量EAS
介電性測試
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；
試驗(yàn)對象：Si、SiC·MOSFET；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A
高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?50℃；電壓5000V；
高溫柵偏試驗(yàn)（HTGB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?50℃；電壓100V；
高溫高濕反偏試驗(yàn)（H3TRB）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?5℃，濕度范圍：25%~95%，電壓4500V；
功率老煉測試
試驗(yàn)對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簷z測電壓：4500V，檢測電流：200A
間歇壽命試驗(yàn)（IOL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；
檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓60V，電流50A。
功率循環(huán)試驗(yàn)（PC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB128、MIL-STD-750、 ；
試驗(yàn)對象：IGBT模塊；
檢測能力：ΔTj=100℃，電壓30V，電流1800A；
熱阻測試（Riath）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；
試驗(yàn)對象：各類二極管；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ核矐B(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻
失效分析 X-ray
◆ 人機(jī)工程學(xué)設(shè)計(jì)
◆ 編程CNC檢測及選配旋轉(zhuǎn)工裝
◆ 可實(shí)時(shí)追蹤、目標(biāo)點(diǎn)定位
◆ 高分辨率FPD獲圖像
◆ 配置超大載物臺及桌面檢測區(qū)域
◆ X射線源：
大輸出功率：8W
光管類型：封閉式
管電壓：90kV
焦點(diǎn)尺寸：5μm
環(huán)境老煉
高溫存儲試驗(yàn)（HTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、 ；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟雀?20℃；
低溫存儲試驗(yàn)（LTSL）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟?70℃。
高低溫循環(huán)試驗(yàn)（TC）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 ；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?40℃~175℃。
溫度沖擊試驗(yàn)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB548、GJB 150-86、GB 2423、MIL-STD-810H、IEC60068-2-14；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ簻囟确秶?70℃~220℃。
高溫蒸煮試驗(yàn)（PCT）
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 4937.4-2012?、JESD22-A110D-2010?
IPC/JEDECJ-STD-020D.1-2008?；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)?zāi)芰Γ?溫度范圍?：105℃到142.9℃之間；濕度范圍?： 75%到RH。
壓力范圍?：0.02MPa到0.186MPa。
可焊性試驗(yàn)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-202G、MIL-STD-883G、GB2423、IEC60068；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
振動(dòng)試驗(yàn)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)方法：模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸、安裝及使用環(huán)境下所遭遇到的各種振動(dòng)環(huán)境影響，主要用于評定元器件、零部件及整機(jī)在預(yù)期的運(yùn)輸及使用環(huán)境中的抵抗能力，以了解產(chǎn)品的耐振壽命和性能指標(biāo)的穩(wěn)定性。
鹽霧試驗(yàn)
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.17—2008、GB/T2423.18—2000、GB5938—86；
試驗(yàn)對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產(chǎn)品；
試驗(yàn)方法：通過人工模擬鹽霧環(huán)境條件來考核產(chǎn)品或金屬材料耐腐蝕性能的環(huán)境試驗(yàn)。一般用于對材料(表面鍍層)或表面處理工藝進(jìn)行評價(jià)、篩選、對比，確定產(chǎn)品中潛在問題的區(qū)域和部位,發(fā)現(xiàn)質(zhì)量控制的不足,尋找設(shè)計(jì)缺陷等。