鍺硅合金結(jié)合了鍺的高電子遷移率與硅的良好穩(wěn)定性，在高頻晶體管、光電子器件、太陽能電池等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，其成分比例與晶體質(zhì)量直接影響器件的電學(xué)性能和可靠性。

檢測范圍

涵蓋鍺硅單晶、鍺硅外延片、鍺硅薄膜、鍺硅合金靶材等類型，包括不同鍺硅比例的合金材料及相關(guān)器件半成品，涉及半導(dǎo)體材料企業(yè)、電子器件制造商、光伏研發(fā)機(jī)構(gòu)、通訊設(shè)備廠商等，覆蓋射頻芯片、紅外探測器、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域。

檢測項目

鍺含量、硅含量、電阻率、晶格常數(shù)、載流子濃度、遷移率、厚度、表面粗糙度、晶體缺陷密度。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

1、GB/T 1551-2009《硅單晶中氧、碳含量的測定 紅外吸收法》

2、GB/T 14847-2010《重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》

3、GB/T 24576-2009《鍺單晶》

4、ASTM F1188-2015《硅外延片厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法》

5、ISO 14250-1-2016《半導(dǎo)體工藝材料檢驗 硅片表面平整度指南 第 1 部分：術(shù)語和測量方法》

*檢測需知*

【檢測周期】5-10個工作日（供參考，可加急）

【檢測費用】

>檢測項目：項目數(shù)量越多，費用自然越高。

>檢測方法：高科技設(shè)備和技術(shù)意味著更高的投入，費用也會相應(yīng)增加。

>檢測標(biāo)準(zhǔn)與周期：不同標(biāo)準(zhǔn)和檢測周期會影響費用。

>樣本數(shù)量：樣本越多，費用越高。

>送樣方式：上門取樣或現(xiàn)場檢測會增加額外費用。

*以上，檢測費用是綜合多種情況來定的，需要實驗室業(yè)務(wù)工程師跟您確定具體的檢測/測試/鑒定需求后，給您報價，請諒解~

復(fù)達(dá)檢測具有CMA、CNAS等資質(zhì)，服務(wù)面向全國，上海、北京、天津、石家莊、西安、太原、蘭州、烏魯木齊、呼和浩特、沈陽、哈爾濱、濟(jì)南、鄭州、武漢、合肥、南京、蘇州、杭州、長沙、南昌、成都、重慶、昆明、南寧、貴陽、福州、廣州、深圳等等地區(qū)均設(shè)有分部，專注分析、檢測、測試、鑒定、研發(fā)五大服務(wù)領(lǐng)域。