新一代比老一代：頻率更高、容量更大、速度更快、電壓更低，DDR4加快普及中，成為市場(chǎng)主流，不同代內(nèi)存條可通過(guò)內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或看防呆口位置就可以分辨。

由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣以字節(jié)為單位改寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。換句話(huà)說(shuō)，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線(xiàn)的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以?xún)?nèi)部控制總線(xiàn)4倍的速度運(yùn)行。