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單晶硅生長(zhǎng)爐的原理簡(jiǎn)介/我有更好的/，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱(chēng)作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，

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在本實(shí)施例中，所述副爐室升降驅(qū)動(dòng)裝置12的結(jié)構(gòu)和加料器升降驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)一致，所述副爐室旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置13的結(jié)構(gòu)和加料器旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的結(jié)構(gòu)也一致。為了防止在副爐室3移動(dòng)到取晶位的過(guò)程中，因晶棒掉落而出現(xiàn)事故，連續(xù)拉晶單晶爐還包括在副爐室3移動(dòng)到取晶位的過(guò)程中用于承接晶棒的電動(dòng)接晶托，所述電動(dòng)接晶托包括提升桿、用于承接晶棒的托板153、電動(dòng)推桿152、接晶托電機(jī)154和固定管151，所述電動(dòng)推桿152連接在副爐室旋臂14上，所述提升桿連接在電動(dòng)推桿152的推桿上，以便通過(guò)推桿的升降帶動(dòng)提升桿升降，所述接晶托電機(jī)154連接在提升桿上，所述托板153連接在接晶托電機(jī)154的輸出軸上，以便通過(guò)接晶托電機(jī)154驅(qū)動(dòng)托板153旋轉(zhuǎn)，所述固定管151套裝在提升桿和電動(dòng)推桿152的推桿的外側(cè)，所述固定管151連接在副爐室旋臂14上。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，根據(jù)權(quán)利要求4所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)的上端部(2-4)的外壁與該爐的保溫筒(17)密封連接。6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)各通氣孔(2-3)與該爐的排氣口 (13)通過(guò)通氣管(19) 相連通。7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)由石墨制成。