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在該爐工作前，由設(shè)于排氣口 13上的真空泵將爐內(nèi)空氣排盡，然后從 該爐上端充入。工作時(shí)，爐內(nèi)的石英坩堝上方不斷有一氧化硅和粉塵 雜質(zhì)生成，因此在不斷充入的同時(shí)，所述真空泵同時(shí)將一氧化硅、粉 塵雜質(zhì)與等的混合氣體排出，其中，氣體的流動(dòng)過程為從石英坩堝上 方經(jīng)坩堝支持器14與發(fā)熱體16之間的間隙，以及發(fā)熱體16與保溫筒17 之間的間隙流入氣流導(dǎo)向裝置20,然后經(jīng)圖6中的氣流導(dǎo)向裝置20的一對(duì) 通氣孔2-3、通氣管19從排氣口 13排出。本實(shí)施例的氣流導(dǎo)向裝置20可有效減小爐內(nèi)空間(尤其是坩堝支持器 14下方的空間)，便于排氣，且利于減少熱能和的消耗量；另外，

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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計(jì)，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。江南電力光伏科技有限，引進(jìn)消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風(fēng)力發(fā)電站的相關(guān)設(shè)備。其中硅單晶生長爐設(shè)備有兩大系列三個(gè)品種，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）DR—JN系列全自動(dòng)晶體生長爐具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設(shè)備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級(jí)和太陽能級(jí)單晶硅棒。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，進(jìn)一步為了當(dāng)不再繼續(xù)加料時(shí)，可以更方便地將外部化料器提升不干涉主爐室坩堝上升的位置，并方便外部化料器的移動(dòng)、拆解和清理，連續(xù)拉晶單晶爐還包括化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置和化料器旋臂，所述底座上設(shè)置有立柱，所述化料器旋臂鉸接在立柱上，所述化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置連接在化料器旋臂上，所述外部化料器連接在化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置上，以便在不繼續(xù)加料時(shí)，通過化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)外部化料器上升不干涉主爐室坩堝上升的位置；和化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置及外部化料器隨化料器旋臂一起轉(zhuǎn)動(dòng)。進(jìn)一步提供了一種化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置的具體結(jié)構(gòu)，所述化料器升降驅(qū)動(dòng)裝置包括支撐桿、絲杠、電機(jī)和連接塊，所述支撐桿連接在化料器旋臂上，所述絲杠可旋轉(zhuǎn)地支承在支撐桿上，所述電機(jī)連接在絲杠上，所述連接塊通過螺紋連接在絲杠上，所述外部化料器連接在連接塊上，以便通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)絲杠旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而將絲杠的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換為連接塊的直線運(yùn)動(dòng)，并通過所述連接塊帶動(dòng)外部化料器升降。